Создание низкоразмерной среды в арсениде галлия для устройств микро- и наноэлектроники - диплом по информатике и телекоммуникациям

 

Тезисы:

  • Арсенид галлия как перспективный материал микро- и наноэлектроники.
  • Формирование низкоразмерной среды в арсениде галлия.
  • Рисунок 11 - Электронная микроскопия образца пористого арсенида галлия n-типа проводимости.
  • Монокристаллы арсенида галлия, легированные хромом, используют в инфракрасной оптике.
  • Пористый арсенид галлия получают путём электрохимического анодирования монокристаллического GaAs.
  • В таблице 1 приведены наиболее распространённые составы селективных травителей для арсенида галлия.
  • Эта стадия контролирует процесс анодного растворения арсенида галлия.
  • На рисунке 9 представлены фотографии сколов пластин арсенида галлия с пористым слоем.
  • Исследована спектральная зависимость фотоответа образцов пористого арсенида галлия.
  • Горячев, Д.Н. Фотолюминесценция пористого арсенида галлия [Текст] / Д.Н. Горячев, О.М. Сресели.
Читать онлайнСкачать диплом

 

 

Похожие работы:

Еще похожие работы

Предметы

Все предметы »

 

 

Актуальные дипломы по информатике и телекоммуникациям