Расчет параметров кремниевого интегрального МДП-транзистора - курсовая работа (Теория) по физике

 

Тезисы:

  • Расчет электрических характеристик кремниевого интегрального n-канального МДП-транзистора.
  • В данной главе произведен расчет параметров МДП-транзистора.
  • Интегральный кремниевый транзистор напряжение.
  • В связи с современными тенденциями необходимо знать и уметь рассчитывать параметры транзисторов.
  • №ПараметрРезультат1Структура исследуемого МДП-транзистораРис.
  • В результате расчета была вычислена реальная ВАХ транзистора в отсутствие напряжения подложка-исток.
  • В результате расчета была вычислена реальная ВАХ транзистора при напряжений подложка-исток .
  • Расчет и корректировка порогового напряжения транзистора.
  • 8 Факультативное задание: расчет параметров эквивалентной схемы.
  • Транзисторы делятся на два больших класса - униполярные (полевые или МДП-транзисторы) и биполярные.

 

 

Похожие работы:

Предметы

Все предметы »

 

 

Актуальные курсовые работы (теория) по физике