Расчёт параметров полупроводниковых приборов - курсовая работа (Теория) по информатике и телекоммуникациям

 

Тезисы:

  • Полупроводниковый диод транзистор прибор.
  • Значение параметров µmax, µmin, N, Nref.
  • Расчетное задание 1.
  • Значения для расчета по этой формуле возьмем из таблицы 1.1.
  • Результаты вычислений параметров биполярной структуры транзистора с резким p-n переходом.
  • = 1,5*1017 (см-3) .
  • = 4*1015 (см-3) .
  • Так как Т = 300, то Тn = 1.
  • Nap = 4,3*1015 .
  • Рассчитаем значения ?k при температурах T = 250К и T = 400К.
Читать онлайнСкачать курсовую работу (теория)

 

 

Похожие работы:

Еще похожие работы

Предметы

Все предметы »

 

 

Актуальные курсовые работы (теория) по информатике и телекоммуникациям