Термодинамический анализ молекулярно-лучевой эпитаксии InGaPAs - курсовая работа (Теория) по физике

 

Тезисы:

  • В кн.: Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры, под ред.
  • Термодинамические свойства четверных систем аппроксимируются моделью регулярного раствора [3] .
  • Термодинамическая модель роста четверного соединения GaхIn1-хPуAs1-у.
  • Расчеты, основанные на построенной термодинамической модели.
  • Выполнил Котовщиков И. О.
  • Проверил Илюшин В. А.
  • + InP GaP + InAs.
  • В случае роста стехиометрического соединения потоки атомов III и V групп, идущие на рост, равны.
  • Рассмотрено влияние переиспаренных потоков элементов на стехиометрический состав.
  • Л. Ченга и К. Плога (М., Мир, 1989) с. 65.. Seki, A. Koukitu.

 

 

Похожие работы:

Предметы

Все предметы »

Актуальные курсовые работы (теория) по физике