Силовые биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - реферат по электротехнике

 

Тезисы:

  • Таким образом, IGBT имеет три внешних вывода: эмиттер, коллектор, затвор.
  • Таким образом, полевой транзистор управляет работой биполярного.
  • По быстродействию IGBT уступают MOSFET, но значительно превосходят биполярные.
  • Такими качествами не обладают биполярные транзисторы, соединённые по схеме Дарлингтона.
  • Схематичный разрез структуры IGBT показан на рис.
  • Затвор имеет вывод, включаемый в цепь управления.
  • Ток управления IGBT мал, поэтому цепь управления - драйвер конструктивно компактна.
  • Наиболее целесообразно располагать цепи драйвера в непосредственной близости от силового ключа.
  • В модулях IGBT драйверы непосредственно включены в их структуру.
  • Это особенно важно при работе транзисторов на высоких частотах.
Читать онлайнСкачать реферат

 

 

Похожие работы:

Еще похожие работы

Предметы

Все предметы »

 

 

Актуальные рефераты по электротехнике