Явление политипизма и методы получения различных политипов в SiC - реферат по физике

  • Тип: Реферат
  • Предмет: Физика
  • Все рефераты по физике »
  • Язык:
  • Автор: Гордиенко
  • Программа: Microsoft Word 9.0
  • Дата: 19 мая 2018
  • Формат: DOC
  • Размер: 34 Кб
  • Страниц: 12
  • Слов: 3097
  • Букв: 20670
  • Просмотров за сегодня: 1
  • За 2 недели: 2
  • За все время: 253

 

Тезисы:

  • Тема: Явление политипизма и методы получения различных политипов в SiC.
  • Политипизм - это способность образовывать различные ПУ.
  • Основные моменты и явление политипизма.
  • На основании вышеизложенного уже можно сформулировать определение того, что такое политипизм.
  • SiC является одним из представителей соединений, обладающих политипизмом.
  • Некоторые соединения могут образовывать различные структуры.
  • На гранях (111) ("кремниевых") получены гладкие эпитаксиальные осадки толщиной больше 30 мкм.
  • Это было проделано для полученных пленок.
  • Вообще говоря, никогда нельзя заранее знать, какой политип получится.
  • Выращивание кристаллов SiC из пара методом Бриджмена-Стокбаргера.
Читать онлайнСкачать реферат

 

 

Похожие работы:

Еще похожие работы

Предметы

Все предметы »

 

 

Актуальные рефераты по физике