Синтез электронных схем на компонентном уровне и компенсация влияния паразитных емкостей полупроводниковых компонентов - диплом по информатике и телекоммуникациям

 

Тезисы:

  • Крутчинский, С.Г. Структурный синтез аналоговых электронных схем [Текст] / С.Г. Крутчинский.
  • Структурный принцип собственной компенсации влияния проходных емкостей.
  • Векторный сигнальный граф электронной системы при влиянии емкостей i-го транзистора.
  • Рис. 17. Схема СВЧ ОУ со взаимной компенсацией влияния.
  • Учитывая, что , влияние на диапазон рабочих частот оказывается в практических схемах незначительным.
  • Лыпарь, Ю.И. Структурный синтез электронных цепей [Текст] / Ю.И. Лыпарь.
  • Непосредственно определяется желаемым (достижимым) уровнем компенсации.
  • Взаимная компенсация емкостей подложки и нагрузки.
  • Структура усилительного каскада с компенсацией влияния Скб.
  • Амплитудно-частотная характеристика каскадов без компенсации влияния (1) и с компенсацией (2).
Читать онлайнСкачать диплом

 

 

Похожие работы:

Еще похожие работы

Предметы

Все предметы »

 

 

Актуальные дипломы по информатике и телекоммуникациям