Электрофизические свойства ультратонких плёнок кремния на изоляторе, сформированных методом ионной имплантации и водородного переноса - диплом по физике

 

Тезисы:

  • Исследование электрофизических свойств структур "кремний на изоляторе" в условиях анодного окисления.
  • Метод водородного переноса устранил недостатки присущие методу SIMOX.
  • 2Влияние толщины плёнки кремния на её электрофизические свойства.
  • Влияние толщины плёнки кремния на её электрофизические свойства.
  • Способ изготовления структуры кремний на изоляторе.
  • Создание структур "кремний на изоляторе".
  • 2Анодное окисление структур "кремний на изоляторе".
  • Анодное окисление структур "кремний на изоляторе".
  • В качестве диэлектрика обычно выступает диоксид кремния SiO2.
  • В настоящее время в мире используются два основных метода создании пластин КНИ.

 

 

Похожие работы:

Предметы

Все предметы »

 

 

Актуальные дипломы по физике