Эпитаксиальный рост простых полупроводников Si и Ge на поверхности Si(111) - диплом по физике

 

Тезисы:

  • При создании таких структур важно знать процессы происходящие на поверхности в процессе роста.
  • После роста первого монослоя меняется реконструкция поверхности 7х7-5х5.
  • В последние годы наблюдается возрастание интереса к поверхности твердого тела.
  • Рост идет в основном за счет разрастания двумерных зародышей.
  • Затем островки двумонослойной высоты срастаются, после чего идет обычный послойный рост.
  • Осцилляции интенсивности имеют место при реализации двумерно-слоевого роста.
  • Скорость роста германия и кремния в экспериментах составляла 0.02 нм/сек.
  • Транспортный узел предназначен для перемещения рейки с подложками из МЗВ в камеру роста.
  • При этом ведется наблюдение дифракционной картины поверхности подложки.
  • Данная система подготовки поверхности производится один раз.
Читать онлайнСкачать диплом

 

 

Похожие работы:

Еще похожие работы

Предметы

Все предметы »

 

 

Актуальные дипломы по физике