Моделювання станів транзистора 2Т909Б - контрольная работа по информатике и телекоммуникациям
Тезисы:
- Рис. 6. Поверхня станів транзистора 2Т909Б, побудована по експериментальним даним.
- Рис. 7. Поверхня станів транзистора 2Т909Б, побудована на основі модельних даних.
- Кремнієвий епітаксіально-планарний транзистор n-p-n типу 2Т909Б.
- Вольт-амперні характеристики транзистора 2Т909Б.
- Для транзистора 2Т909Б, отримана по рівнянню моделі.
- Сімейство ВАХ транзистора 2Т909Б має наступний вигляд (рис.1).
- Рис. 4. ВАХ транзистора 2Т909Б, побудована по експериментальним даним.
- Рис. 5. ВАХ транзистора 2Т909Б, побудована на основі модельних даних.
- Транзистори широко використовуються в електронних приладах в якості підсилювачів.
- Множина можливих сполучень факторів і їхніх значень визначає множину станів технічної системи.
Предметы
Все предметы »
Актуальные контрольные работы по информатике и телекоммуникациям
- Анализ поисковых систем Интернет. Анализ ресурсов Интернета по вопросу: формирование имиджа фирмы и ...
3 Мб, 74 стр
32
- Технические средства охранно-пожарной сигнализации
36 Кб, 28 стр
25
- Классификация сетей цифрового телевизионного вещания
146 Кб, 21 стр
24
- Акустический расчет телестудии
521 Кб, 9 стр
22
- Структурная схема и принципы работы ЭВМ
18 Кб, 12 стр
20
- Проектирование и расчет усилителя электронного модуля
124 Кб, 17 стр
19
- Синтез и исследование логической схемы цифрового автомата, построенного на цифровых микросхемах
235 Кб, 19 стр
17
- Основы кодирования и модулирования сигнала связи
1 Мб, 27 стр
17
- Освоение метода измерения давления с помощью пьезорезистивного датчика и изучение влияния электромагнитной помехи на его показания
323 Кб, 16 стр
16
- Выбор элементов и расчет измерительной части системы двигателя и усилителя мощности
106 Кб, 18 стр
15
- Показать еще »
