Моделювання станів транзистора 2Т909Б - контрольная работа по информатике и телекоммуникациям
Тезисы:
- Рис. 6. Поверхня станів транзистора 2Т909Б, побудована по експериментальним даним.
- Рис. 7. Поверхня станів транзистора 2Т909Б, побудована на основі модельних даних.
- Кремнієвий епітаксіально-планарний транзистор n-p-n типу 2Т909Б.
- Вольт-амперні характеристики транзистора 2Т909Б.
- Для транзистора 2Т909Б, отримана по рівнянню моделі.
- Сімейство ВАХ транзистора 2Т909Б має наступний вигляд (рис.1).
- Рис. 4. ВАХ транзистора 2Т909Б, побудована по експериментальним даним.
- Рис. 5. ВАХ транзистора 2Т909Б, побудована на основі модельних даних.
- Транзистори широко використовуються в електронних приладах в якості підсилювачів.
- Множина можливих сполучень факторів і їхніх значень визначає множину станів технічної системи.
Предметы
Все предметы »
Актуальные контрольные работы по информатике и телекоммуникациям
- Расчёт схемы с операционным усилителем
648 Кб, 11 стр
13
- Классификация сетей цифрового телевизионного вещания
146 Кб, 21 стр
12
- Типовые компоновки роботизированных технологических комплексов (РТК) сборки
612 Кб, 11 стр
10
- Безопасность в Internet
68 Кб, 18 стр
9
- Устройства регулировки и перемножения сигналов
43 Кб, 11 стр
6
- Технические средства охранно-пожарной сигнализации
36 Кб, 28 стр
6
- Исследование принципов формирования яркостного и цветоразностных сигналов в системе вещательного телевидения
2 Мб, 10 стр
6
- Домашний компьютер. Какой выбрать?
22 Кб, 15 стр
6
- Аналоговые АТС
446 Кб, 6 стр
6
- Активизация инвестиционной деятельности как приоритетная финансовая политика государств
70 Кб, 67 стр
6
- Показать еще »