Моделювання станів транзистора 2Т909Б - контрольная работа по информатике и телекоммуникациям
Тезисы:
- Рис. 6. Поверхня станів транзистора 2Т909Б, побудована по експериментальним даним.
- Рис. 7. Поверхня станів транзистора 2Т909Б, побудована на основі модельних даних.
- Кремнієвий епітаксіально-планарний транзистор n-p-n типу 2Т909Б.
- Вольт-амперні характеристики транзистора 2Т909Б.
- Для транзистора 2Т909Б, отримана по рівнянню моделі.
- Сімейство ВАХ транзистора 2Т909Б має наступний вигляд (рис.1).
- Рис. 4. ВАХ транзистора 2Т909Б, побудована по експериментальним даним.
- Рис. 5. ВАХ транзистора 2Т909Б, побудована на основі модельних даних.
- Транзистори широко використовуються в електронних приладах в якості підсилювачів.
- Множина можливих сполучень факторів і їхніх значень визначає множину станів технічної системи.
Предметы
Все предметы »
Актуальные контрольные работы по информатике и телекоммуникациям
- Разработка рекомендации по организации технического обслуживания линии передачи информации в процессе эксплуатации
13 Кб, 20 стр
27
- Цифровые устройства автоматики
433 Кб, 22 стр
16
- Финансы и кредит Центросоюз Вариант 15
29 Кб, 18 стр
16
- Считывание данных с пяти четырех битных датчиков и передача данных на персональный компьютер по интерфейсу RS232
69 Кб, 13 стр
15
- Роботизированные технологические комплексы (РТК) в гибкой автоматизации производства
437 Кб, 12 стр
15
- Источники питания электронных устройств
2 Мб, 19 стр
15
- Обратная связь в усилителях
726 Кб, 34 стр
14
- Классификация сетей цифрового телевизионного вещания
146 Кб, 21 стр
14
- Расчет дальности действия радиолокационной станции в различных условиях помеховой обстановки
829 Кб, 16 стр
13
- Электроника
132 Кб, 20 стр
12
- Показать еще »
