Моделювання станів транзистора 2Т909Б - Контрольная работа по информатике и телекоммуникациям

Тезисы:

Рис. 6. Поверхня станів транзистора 2Т909Б, побудована по експериментальним даним.
Рис. 7. Поверхня станів транзистора 2Т909Б, побудована на основі модельних даних.
Кремнієвий епітаксіально-планарний транзистор n-p-n типу 2Т909Б.
Вольт-амперні характеристики транзистора 2Т909Б.
Для транзистора 2Т909Б, отримана по рівнянню моделі.
Сімейство ВАХ транзистора 2Т909Б має наступний вигляд (рис.1).
Рис. 4. ВАХ транзистора 2Т909Б, побудована по експериментальним даним.
Рис. 5. ВАХ транзистора 2Т909Б, побудована на основі модельних даних.
Транзистори широко використовуються в електронних приладах в якості підсилювачів.
Множина можливих сполучень факторів і їхніх значень визначає множину станів технічної системи.

Предметы

Актуальные Контрольные работы по информатике и телекоммуникациям