Моделювання станів транзистора 2Т909Б - контрольная работа по информатике и телекоммуникациям

 

Тезисы:

  • Рис. 6. Поверхня станів транзистора 2Т909Б, побудована по експериментальним даним.
  • Рис. 7. Поверхня станів транзистора 2Т909Б, побудована на основі модельних даних.
  • Кремнієвий епітаксіально-планарний транзистор n-p-n типу 2Т909Б.
  • Вольт-амперні характеристики транзистора 2Т909Б.
  • Для транзистора 2Т909Б, отримана по рівнянню моделі.
  • Сімейство ВАХ транзистора 2Т909Б має наступний вигляд (рис.1).
  • Рис. 4. ВАХ транзистора 2Т909Б, побудована по експериментальним даним.
  • Рис. 5. ВАХ транзистора 2Т909Б, побудована на основі модельних даних.
  • Транзистори широко використовуються в електронних приладах в якості підсилювачів.
  • Множина можливих сполучень факторів і їхніх значень визначає множину станів технічної системи.
Читать онлайнСкачать контрольную работу

 

 

Предметы

Все предметы »

 

 

Актуальные контрольные работы по информатике и телекоммуникациям