Моделювання станів транзистора 2Т909Б - контрольная работа по информатике и телекоммуникациям
Тезисы:
- Рис. 6. Поверхня станів транзистора 2Т909Б, побудована по експериментальним даним.
- Рис. 7. Поверхня станів транзистора 2Т909Б, побудована на основі модельних даних.
- Кремнієвий епітаксіально-планарний транзистор n-p-n типу 2Т909Б.
- Вольт-амперні характеристики транзистора 2Т909Б.
- Для транзистора 2Т909Б, отримана по рівнянню моделі.
- Сімейство ВАХ транзистора 2Т909Б має наступний вигляд (рис.1).
- Рис. 4. ВАХ транзистора 2Т909Б, побудована по експериментальним даним.
- Рис. 5. ВАХ транзистора 2Т909Б, побудована на основі модельних даних.
- Транзистори широко використовуються в електронних приладах в якості підсилювачів.
- Множина можливих сполучень факторів і їхніх значень визначає множину станів технічної системи.
Предметы
Все предметы »
Актуальные контрольные работы по информатике и телекоммуникациям
- Обратная связь в усилителях
726 Кб, 34 стр
19
- Классификация сетей цифрового телевизионного вещания
146 Кб, 21 стр
15
- Информация, информатика, базы данных. Периферийные устройства
17 Кб, 11 стр
14
- Технические средства охранно-пожарной сигнализации
36 Кб, 28 стр
13
- Структура персонального компьютера. Основные и периферийные устройства, их характеристики и назначен...
33 Кб, 30 стр
12
- Основные этапы развития компьютерной техники. Сравнительные характеристики компьютеров разных поколе...
29 Кб, 16 стр
11
- Финансы и кредит Центросоюз Вариант 15
29 Кб, 18 стр
9
- Текстовый редактор MS Word
38 Кб, 18 стр
9
- Спектральный и корреляционный анализ непериодических сигналов
95 Кб, 10 стр
9
- Модернизация системы автоматизированных информационных технологи в казначействе
23 Кб, 23 стр
9
- Показать еще »