Моделювання станів транзистора 2Т909Б - контрольная работа по информатике и телекоммуникациям
Тезисы:
- Рис. 6. Поверхня станів транзистора 2Т909Б, побудована по експериментальним даним.
- Рис. 7. Поверхня станів транзистора 2Т909Б, побудована на основі модельних даних.
- Кремнієвий епітаксіально-планарний транзистор n-p-n типу 2Т909Б.
- Вольт-амперні характеристики транзистора 2Т909Б.
- Для транзистора 2Т909Б, отримана по рівнянню моделі.
- Сімейство ВАХ транзистора 2Т909Б має наступний вигляд (рис.1).
- Рис. 4. ВАХ транзистора 2Т909Б, побудована по експериментальним даним.
- Рис. 5. ВАХ транзистора 2Т909Б, побудована на основі модельних даних.
- Транзистори широко використовуються в електронних приладах в якості підсилювачів.
- Множина можливих сполучень факторів і їхніх значень визначає множину станів технічної системи.
Предметы
Все предметы »
Актуальные контрольные работы по информатике и телекоммуникациям
- Регистратор колебаний поверхности земли
97 Кб, 22 стр
38
- Обратная связь в усилителях
726 Кб, 34 стр
15
- Цифровые фильтры
126 Кб, 24 стр
13
- Фазовые модуляторы
12 Кб, 20 стр
13
- Структурная схема и принципы работы ЭВМ
18 Кб, 12 стр
13
- Изучение алгоритма функционирования и программы цифрового фильтра
1 Мб, 9 стр
13
- Датчики силы и перемещения
509 Кб, 22 стр
13
- Разработка аппаратно-программных средств микропроцессорной системы
528 Кб, 17 стр
12
- Автоматизированные информационные системы в экономике
29 Кб, 16 стр
12
- Цифровые устройства автоматики
433 Кб, 22 стр
11
- Показать еще »