Моделювання станів транзистора 2Т909Б - контрольная работа по информатике и телекоммуникациям
Тезисы:
- Рис. 6. Поверхня станів транзистора 2Т909Б, побудована по експериментальним даним.
- Рис. 7. Поверхня станів транзистора 2Т909Б, побудована на основі модельних даних.
- Кремнієвий епітаксіально-планарний транзистор n-p-n типу 2Т909Б.
- Вольт-амперні характеристики транзистора 2Т909Б.
- Для транзистора 2Т909Б, отримана по рівнянню моделі.
- Сімейство ВАХ транзистора 2Т909Б має наступний вигляд (рис.1).
- Рис. 4. ВАХ транзистора 2Т909Б, побудована по експериментальним даним.
- Рис. 5. ВАХ транзистора 2Т909Б, побудована на основі модельних даних.
- Транзистори широко використовуються в електронних приладах в якості підсилювачів.
- Множина можливих сполучень факторів і їхніх значень визначає множину станів технічної системи.
Предметы
Все предметы »
Актуальные контрольные работы по информатике и телекоммуникациям
- Модернизация электронного термометра
126 Кб, 14 стр
15
- Электронные усилители
123 Кб, 29 стр
14
- Глобальная навигационная спутниковая система
85 Кб, 20 стр
14
- Полупроводниковые приборы
849 Кб, 16 стр
13
- Структура персонального компьютера. Основные и периферийные устройства, их характеристики и назначен...
33 Кб, 30 стр
12
- Работа с таблицами в Word
19 Кб, 7 стр
12
- Полупроводниковые приборы
27 Кб, 36 стр
11
- Разработка логической схемы реализации линии связи
21 Кб, 13 стр
10
- Проектирование устройства управления и моделирование его работы средствами MultiSim
1 Мб, 18 стр
10
- Классификация сетей цифрового телевизионного вещания
146 Кб, 21 стр
10
- Показать еще »