Bipolar transistors - Курсовая работа (Практика) по информатике и телекоммуникациям
Тезисы:
- The circuits of insert of bipolar transistors.
- Planar n-p-n structure of the bipolar transistor.
- In a fig.
- The area of collector junction always is more than the area of emitter junction.
- The region of the emitter should have higher electrical conductivity, than basis and collector.
- The third electrode is common concerning an input and exit.
- Conditions of insert of the transistor.
- Four conditions of insert of the transistor are possible.
- In each of three circuits of insert of the transistor these parameters have particular magnitudes.
- Condition of saturation.
Похожие работы:
Предметы
Все предметы »
Актуальные Курсовые работы (Практика) по информатике и телекоммуникациям
- Еlectronics Workbench
101 Кб, 20 стр
20
- Современная криптография
240 Кб, 19 стр
15
- Современные материальные носители документированной информации
49 Кб, 35 стр
13
- Программная реализация алгоритма Дейкстры (построение цепей минимальной длины)
1 Мб, 23 стр
13
- Несанкционированный доступ к терминалам серверов с операционными системами семейства UNIX
278 Кб, 16 стр
12
- Анализ одноконтурной САУ четвёртого порядка
205 Кб, 25 стр
12
- Borland C++ Builder - основные моменты
35 Кб, 33 стр
12
- Open Source Software прорывается в мир бизнеса
31 Кб, 15 стр
11
- Технический контроль качества
83 Кб, 31 стр
10
- Разработка проекта комплексной защиты информации
1 Мб, 39 стр
10
- Показать еще »