Проектирование индуктивной трёхточки на транзисторе с индуктированным n-каналом - курсовая работа (Теория) по информатике и телекоммуникациям

 

Тезисы:

  • Рис.7. Виртуальный анализ спроектированной индуктивной трёхточки на МОП транзисторе.
  • Рис.2 Схема для проектирования генератора.
  • По этим параметрам подбираем высокочастотный МОП транзистор фирмы Philips типа BSD214.
  • Выбираем катушку с индуктивностью L= 51мкГн c третьим выводом в1мкГн относительно общей точки схемы.
  • Находится в противофазе с напряжением затвор - исток транзистора (усилитель с общим истоком) .
  • Выбор схемы для проектирования.
  • Подбор активного элемента - МОП транзистора для генератора.
  • МОП транзистор должен быть высокочастотным.
  • Также максимальная мощность транзистора определяется из выражения.
  • Допустимое напряжение сток-исток транзистора U.
Читать онлайнСкачать курсовую работу (теория)

 

 

Похожие работы:

Еще похожие работы

Предметы

Все предметы »

 

 

Актуальные курсовые работы (теория) по информатике и телекоммуникациям