Расчет параметров структуры интегрального n-p-n транзистора и определение технологических режимов его изготовления - курсовая работа (Теория) по информатике и телекоммуникациям

 

Тезисы:

  • По заданным параметрам структуры транзистора выбирается технологический маршрут изготовления.
  • Объект разработки: структура кремниевого эпитаксиально-планарного n-p-n транзистора.
  • Область применения: расчет кремниевых эпитаксиально-планарных транзисторов.
  • Определение режимов эпитаксии.
  • Определение режимов разделительной диффузии.
  • Определение режимов базовой диффузии.
  • Определение режимов эмиттерной диффузии.
  • Определение режимов имплантации и термической диффузии.
  • Для рассчитанных нами технологических режимов величина.
  • Структура эпитаксиального n-p-n-транзистора.
Читать онлайнСкачать курсовую работу (теория)

 

 

Похожие работы:

Еще похожие работы

Предметы

Все предметы »

 

 

Актуальные курсовые работы (теория) по информатике и телекоммуникациям