Розподіл електричного поля і контактні явища в широкозонних напівпровідниках і вузькозонних діелектриках - Курсовая работа (Теория) по информатике и телекоммуникациям
Тезисы:
- РОЗРАХУНОК РОЗПОДІЛУ ЕЛЕКТРИЧНОГО ПОЛЯ І КОНТАКТНИХ ЯВИЩ В ОБЕКТІ ДОСЛІДЖЕННЯ Bi12SiO20.
- У другому розділі розраховано розподіл поля та заряду в обємі Bi12SiO20.
- Представлено нормовані значення розподілу потенціалу, поля, заряду від координат.
- Важливою характеристикою є розподіл поля (потенціалу) на поверхні і в глибині об'єкта.
- На основі даних таблиці 2.3.1 розрахована залежність розподілу поля від координат.
- Таблиця 2.3.2 - Залежність розподілу поля від координат.
- Залежність розподілу поля від координат зображена на рис.
- Рисунок 2.3.2 - Залежність розподілу поля від координат.
- Важливу роль відіграють контактні явища.
- 3 Обчислення розподілу поля та заряду в обємі Bi12SiO20.
Предметы
Все предметы »
Актуальные Курсовые работы (Теория) по информатике и телекоммуникациям
- Расчёт волноводно-щелевой антенной решётки
173 Кб, 28 стр
25
- Исследование принципов электросвязи и различных видов модуляций
270 Кб, 41 стр
25
- Умный дом
816 Кб, 41 стр
23
- Особенности проектирования простейших цифровых устройств
159 Кб, 32 стр
23
- Связной радиопередатчик с частотной модуляцией
422 Кб, 26 стр
17
- Радиопередатчик с частотной модуляцией
2 Мб, 43 стр
16
- Разработка цифрового вольтметра
313 Кб, 28 стр
15
- Связные радиопередающие устройства с частотной модуляцией
875 Кб, 39 стр
14
- Радиопередатчик подвижной связи с угловой модуляцией
2 Мб, 50 стр
14
- Синтез позиционной следящей системы
770 Кб, 29 стр
13
- Показать еще »