Розподіл електричного поля і контактні явища в широкозонних напівпровідниках і вузькозонних діелектриках - Курсовая работа (Теория) по информатике и телекоммуникациям

Тезисы:

РОЗРАХУНОК РОЗПОДІЛУ ЕЛЕКТРИЧНОГО ПОЛЯ І КОНТАКТНИХ ЯВИЩ В ОБЕКТІ ДОСЛІДЖЕННЯ Bi12SiO20.
У другому розділі розраховано розподіл поля та заряду в обємі Bi12SiO20.
Представлено нормовані значення розподілу потенціалу, поля, заряду від координат.
Важливою характеристикою є розподіл поля (потенціалу) на поверхні і в глибині об'єкта.
На основі даних таблиці 2.3.1 розрахована залежність розподілу поля від координат.
Таблиця 2.3.2 - Залежність розподілу поля від координат.
Залежність розподілу поля від координат зображена на рис.
Рисунок 2.3.2 - Залежність розподілу поля від координат.
Важливу роль відіграють контактні явища.
3 Обчислення розподілу поля та заряду в обємі Bi12SiO20.

Предметы

Актуальные Курсовые работы (Теория) по информатике и телекоммуникациям