Розподіл електричного поля і контактні явища в широкозонних напівпровідниках і вузькозонних діелектриках - курсовая работа (Теория) по информатике и телекоммуникациям
Тезисы:
- РОЗРАХУНОК РОЗПОДІЛУ ЕЛЕКТРИЧНОГО ПОЛЯ І КОНТАКТНИХ ЯВИЩ В ОБЕКТІ ДОСЛІДЖЕННЯ Bi12SiO20.
- У другому розділі розраховано розподіл поля та заряду в обємі Bi12SiO20.
- Представлено нормовані значення розподілу потенціалу, поля, заряду від координат.
- Важливою характеристикою є розподіл поля (потенціалу) на поверхні і в глибині об'єкта.
- На основі даних таблиці 2.3.1 розрахована залежність розподілу поля від координат.
- Таблиця 2.3.2 - Залежність розподілу поля від координат.
- Залежність розподілу поля від координат зображена на рис.
- Рисунок 2.3.2 - Залежність розподілу поля від координат.
- Важливу роль відіграють контактні явища.
- 3 Обчислення розподілу поля та заряду в обємі Bi12SiO20.
Предметы
Все предметы »
Актуальные курсовые работы (теория) по информатике и телекоммуникациям
- Умный дом
816 Кб, 41 стр
52
- Метрологические основы поверки и калибровки средств измерений
227 Кб, 58 стр
28
- Система охранной сигнализации
112 Кб, 23 стр
27
- Защита кабинета руководителя от утечек по электромагнитному и акустоэлектрическому каналам
131 Кб, 22 стр
27
- Проектирование компьютерной сети торгового предприятия
482 Кб, 42 стр
26
- Защита акустической (речевой) информации от утечки по техническим каналам
2 Мб, 65 стр
22
- Глобальная навигационная спутниковая система "Глонасс": проблемы и перспективы
463 Кб, 32 стр
22
- Часы реального времени
252 Кб, 26 стр
21
- Сотовая система связи
3 Мб, 30 стр
21
- Расчет группового усилителя систем передачи
3 Мб, 45 стр
21
- Показать еще »