Розрахунок фотодіода з метою отримання бажаних параметрів вольтамперних характеристик - курсовая работа (Теория) по информатике и телекоммуникациям
Тезисы:
- 4 Аналіз залежності вольтамперних характеристик фотодіода від фізичних параметрів напівпровідника.
- Вираз 8 є рівнянням сімейства вольтамперних характеристик фотодіоду.
- Рівняння сімейства вольтамперних характеристик фотодіода.
- 3 Аналіз залежності вольтамперних характеристик фотодіода.
- Рис.4. Зміна вольтамперної характеристики р-n- переходу під дією випромінювання.
- Рис.5. Допоміжні функції, для розрахунку фотоструму і чутливості фотодіода.
- Чутливість фотодіода пропорційна функції зовсім інакше залежить від чим фотострум (рис.5.) .
- Виготовлений германієвий фотодіод з п-р-переходом,освітлений паралельно пролшині переходу.
- Виготовлений германієвий фотодіод з n-р-переходом, освітлений паралельно площині переходу.
- В області насичення характеристик при умові lL відношення.
Похожие работы:
Предметы
Все предметы »
Актуальные курсовые работы (теория) по информатике и телекоммуникациям
- Умный дом
816 Кб, 41 стр
39
- Проектирование компьютерной сети торгового предприятия
482 Кб, 42 стр
23
- Проектирование электронно–импульсного металлоискателя
815 Кб, 21 стр
21
- Глобальная навигационная спутниковая система "Глонасс": проблемы и перспективы
463 Кб, 32 стр
20
- Разработка конструкции и технологического процесса изготовления печатной платы
1 Мб, 59 стр
19
- Фильтр нижних частот
197 Кб, 20 стр
17
- Защита акустической (речевой) информации от утечки по техническим каналам
2 Мб, 65 стр
16
- Защита помещения для проведения конфиденциальных переговоров
2 Мб, 52 стр
15
- Трассовый обзорный радиолокатор
513 Кб, 32 стр
14
- Разработка микропроцессорной системы на базе микроконтроллера для пожарной сигнализации
5 Мб, 49 стр
14
- Показать еще »
