Розрахунок фотодіода з метою отримання бажаних параметрів вольтамперних характеристик - курсовая работа (Теория) по информатике и телекоммуникациям
Тезисы:
- 4 Аналіз залежності вольтамперних характеристик фотодіода від фізичних параметрів напівпровідника.
- Вираз 8 є рівнянням сімейства вольтамперних характеристик фотодіоду.
- Рівняння сімейства вольтамперних характеристик фотодіода.
- 3 Аналіз залежності вольтамперних характеристик фотодіода.
- Рис.4. Зміна вольтамперної характеристики р-n- переходу під дією випромінювання.
- Рис.5. Допоміжні функції, для розрахунку фотоструму і чутливості фотодіода.
- Чутливість фотодіода пропорційна функції зовсім інакше залежить від чим фотострум (рис.5.) .
- Виготовлений германієвий фотодіод з п-р-переходом,освітлений паралельно пролшині переходу.
- Виготовлений германієвий фотодіод з n-р-переходом, освітлений паралельно площині переходу.
- В області насичення характеристик при умові lL відношення.
Похожие работы:
Предметы
Все предметы »
Актуальные курсовые работы (теория) по информатике и телекоммуникациям
- Конструкторско-технологическое проектирование функционального узла, расположенного на печатной плате
25 Кб, 28 стр
24
- Автоматизированное топологическое проектирование узла на печатной плате
2 Кб, 3 стр
24
- Система охранной сигнализации
112 Кб, 23 стр
20
- Проектирование печатной платы РЭС в программной среде Altium Designer v.10
2 Мб, 33 стр
20
- Беспроводные мобильные сети
21 Кб, 24 стр
20
- Разработка комплекта конструкторской документации на кодовый замок
134 Кб, 23 стр
19
- Синтез автоматических систем регулирования с цифровыми регуляторами
84 Кб, 25 стр
18
- Расчёт переходных процессов в линейных электрических цепях с сосредоточенными параметрами
229 Кб, 25 стр
17
- Эксплуатация ГПА Ц-16
233 Кб, 40 стр
16
- Параллельное развитие аналоговой и цифровой вычислительной техники
28 Кб, 38 стр
16
- Показать еще »
