Розрахунок фотодіода з метою отримання бажаних параметрів вольтамперних характеристик - курсовая работа (Теория) по информатике и телекоммуникациям
Тезисы:
- 4 Аналіз залежності вольтамперних характеристик фотодіода від фізичних параметрів напівпровідника.
- Вираз 8 є рівнянням сімейства вольтамперних характеристик фотодіоду.
- Рівняння сімейства вольтамперних характеристик фотодіода.
- 3 Аналіз залежності вольтамперних характеристик фотодіода.
- Рис.4. Зміна вольтамперної характеристики р-n- переходу під дією випромінювання.
- Рис.5. Допоміжні функції, для розрахунку фотоструму і чутливості фотодіода.
- Чутливість фотодіода пропорційна функції зовсім інакше залежить від чим фотострум (рис.5.) .
- Виготовлений германієвий фотодіод з п-р-переходом,освітлений паралельно пролшині переходу.
- Виготовлений германієвий фотодіод з n-р-переходом, освітлений паралельно площині переходу.
- В області насичення характеристик при умові lL відношення.
Похожие работы:
Предметы
Все предметы »
Актуальные курсовые работы (теория) по информатике и телекоммуникациям
- Электроника и микропроцессорная техника
373 Кб, 45 стр
17
- Разработка микропроцессорной системы управления РТК на базе вертикально–фрезерного станка 6Р13Ф3-37
514 Кб, 22 стр
17
- Особенности проектирования простейших цифровых устройств
159 Кб, 32 стр
17
- Система из двух антенн, образующих пассивный ретранслятор сигналов
1 Мб, 49 стр
16
- Система охранной сигнализации
112 Кб, 23 стр
15
- Умный дом
816 Кб, 41 стр
13
- Расчёт волноводно-щелевой антенной решётки
173 Кб, 28 стр
13
- Проектирование печатной платы
400 Кб, 21 стр
13
- Проектирование автоматического измерителя артериального давления
296 Кб, 29 стр
13
- Эксплуатация ГПА Ц-16
233 Кб, 40 стр
12
- Показать еще »
