Розрахунок фотодіода з метою отримання бажаних параметрів вольтамперних характеристик - Курсовая работа (Теория) по информатике и телекоммуникациям
Тезисы:
- 4 Аналіз залежності вольтамперних характеристик фотодіода від фізичних параметрів напівпровідника.
- Вираз 8 є рівнянням сімейства вольтамперних характеристик фотодіоду.
- Рівняння сімейства вольтамперних характеристик фотодіода.
- 3 Аналіз залежності вольтамперних характеристик фотодіода.
- Рис.4. Зміна вольтамперної характеристики р-n- переходу під дією випромінювання.
- Рис.5. Допоміжні функції, для розрахунку фотоструму і чутливості фотодіода.
- Чутливість фотодіода пропорційна функції зовсім інакше залежить від чим фотострум (рис.5.) .
- Виготовлений германієвий фотодіод з п-р-переходом,освітлений паралельно пролшині переходу.
- Виготовлений германієвий фотодіод з n-р-переходом, освітлений паралельно площині переходу.
- В області насичення характеристик при умові lL відношення.
Похожие работы:
Предметы
Все предметы »
Актуальные Курсовые работы (Теория) по информатике и телекоммуникациям
- Умный дом
816 Кб, 41 стр
54
- Проектирование компьютерной сети торгового предприятия
482 Кб, 42 стр
34
- Особенности проектирования простейших цифровых устройств
159 Кб, 32 стр
24
- Метрологические основы поверки и калибровки средств измерений
227 Кб, 58 стр
23
- Сотовая система связи
3 Мб, 30 стр
22
- Система охранной сигнализации
112 Кб, 23 стр
20
- Разработка конструкции передатчика частотно-модулированных колебаний
39 Кб, 26 стр
19
- Современные системы видеонаблюдения
1 Мб, 44 стр
18
- Эксплуатация ГПА Ц-16
233 Кб, 40 стр
16
- Разработка регулятора температуры
864 Кб, 28 стр
16
- Показать еще »
