Розрахунок фотодіода з метою отримання бажаних параметрів вольтамперних характеристик - курсовая работа (Теория) по информатике и телекоммуникациям
Тезисы:
- 4 Аналіз залежності вольтамперних характеристик фотодіода від фізичних параметрів напівпровідника.
- Вираз 8 є рівнянням сімейства вольтамперних характеристик фотодіоду.
- Рівняння сімейства вольтамперних характеристик фотодіода.
- 3 Аналіз залежності вольтамперних характеристик фотодіода.
- Рис.4. Зміна вольтамперної характеристики р-n- переходу під дією випромінювання.
- Рис.5. Допоміжні функції, для розрахунку фотоструму і чутливості фотодіода.
- Чутливість фотодіода пропорційна функції зовсім інакше залежить від чим фотострум (рис.5.) .
- Виготовлений германієвий фотодіод з п-р-переходом,освітлений паралельно пролшині переходу.
- Виготовлений германієвий фотодіод з n-р-переходом, освітлений паралельно площині переходу.
- В області насичення характеристик при умові lL відношення.
Похожие работы:
Предметы
Все предметы »
Актуальные курсовые работы (теория) по информатике и телекоммуникациям
- Цифровизация участка первичной сети связи
2 Кб, 1 стр
29
- Проектирование усилителя электрических сигналов в заданном частотном диапазоне
411 Кб, 34 стр
29
- Проектирование электропитания устройств связи и автоматики
53 Кб, 43 стр
28
- Подтверждение соответствия сотового телефона марки Nokia n97
403 Кб, 25 стр
25
- Анализ прохождения радиосигнала через линейный резонансный усилительный каскад
799 Кб, 23 стр
25
- Проектирование электропитающей установки для устройств автоматики и связи
3 Кб, 4 стр
24
- Разработка конструкции и технологии изготовления измерителя емкости
679 Кб, 55 стр
23
- Усилитель мощности низкой частоты
3 Мб, 48 стр
22
- Преобразователь напряжения понижающего типа
442 Кб, 35 стр
21
- Построение и разработка систем на основе микроконтроллеров семейства MSP430
1 Мб, 37 стр
21
- Показать еще »
