Розрахунок фотодіода з метою отримання бажаних параметрів вольтамперних характеристик - курсовая работа (Теория) по информатике и телекоммуникациям

 

Тезисы:

  • 4 Аналіз залежності вольтамперних характеристик фотодіода від фізичних параметрів напівпровідника.
  • Вираз 8 є рівнянням сімейства вольтамперних характеристик фотодіоду.
  • Рівняння сімейства вольтамперних характеристик фотодіода.
  • 3 Аналіз залежності вольтамперних характеристик фотодіода.
  • Рис.4. Зміна вольтамперної характеристики р-n- переходу під дією випромінювання.
  • Рис.5. Допоміжні функції, для розрахунку фотоструму і чутливості фотодіода.
  • Чутливість фотодіода пропорційна функції зовсім інакше залежить від чим фотострум (рис.5.) .
  • Виготовлений германієвий фотодіод з п-р-переходом,освітлений паралельно пролшині переходу.
  • Виготовлений германієвий фотодіод з n-р-переходом, освітлений паралельно площині переходу.
  • В області насичення характеристик при умові lL відношення.

 

 

Похожие работы:

Предметы

Все предметы »

 

 

Актуальные курсовые работы (теория) по информатике и телекоммуникациям