Розробка топології і конструкції гібридної інтегральної схеми типу "Підсилювач НЧ К2УС372" - курсовая работа (Теория) по информатике и телекоммуникациям

Тезисы:

Розробка топології і мікросхеми.
Електричні параметри мікросхеми К2УС372 при Uдж.ж.=12,8В і Rн=3,9Ом приведені в таблиці 1.
Електрична принципова схема наведена у додатку Б. Технологія виготовлення даної ГІС товстоплівкова.
Резистивна паста для розробки резисторів першої групи ПР-100.
Резистивна паста для розробки резисторів другої групи ПР-3к.
Резистивна паста для розробки резисторів третьої групи ПР-20.
Ці проблеми успішно вирішуються застосуванням мікроелектроніки.
В даному завданні навісними компонентами є транзистори.
Вихідні дані наведені у таблиці 2.
При температурі близько 700 С паста вжигається в керамічну підкладку.

Предметы

Актуальные курсовые работы (теория) по информатике и телекоммуникациям