Розробка топології і конструкції гібридної інтегральної схеми типу "Підсилювач НЧ К2УС372" - курсовая работа (Теория) по информатике и телекоммуникациям

 

Тезисы:

  • Розробка топології і мікросхеми.
  • Електричні параметри мікросхеми К2УС372 при Uдж.ж.=12,8В і Rн=3,9Ом приведені в таблиці 1.
  • Електрична принципова схема наведена у додатку Б. Технологія виготовлення даної ГІС товстоплівкова.
  • Резистивна паста для розробки резисторів першої групи ПР-100.
  • Резистивна паста для розробки резисторів другої групи ПР-3к.
  • Резистивна паста для розробки резисторів третьої групи ПР-20.
  • Ці проблеми успішно вирішуються застосуванням мікроелектроніки.
  • В даному завданні навісними компонентами є транзистори.
  • Вихідні дані наведені у таблиці 2.
  • При температурі близько 700 С паста вжигається в керамічну підкладку.

 

 

Предметы

Все предметы »

 

 

Актуальные курсовые работы (теория) по информатике и телекоммуникациям