Технология изготовления диффузионых резисторов на основе кремния - Курсовая работа (Теория) по информатике и телекоммуникациям

 

Тезисы:

  • Различают объемные и диффузионные полупроводниковые резисторы.
  • Диффузионные резисторы изолированы от остального объема полупроводника p-n-переходом.
  • Кроме разброса по номиналу диффузионные резисторы обладают существенной температурной зависимостью.
  • Основным фактором, ограничивающим мощность рассеяния, является нагрев резистора в процессе работы.
  • Для диффузионных резисторов предельной считается мощность 50 мВт/мм2.
  • Благодаря наличию обратносмещенного перехода диффузионный резистор имеет распределенную емкость.
  • Сопротивление диффузионного резистора.
  • С учетом выражения (4) сопротивление диффузионного резистора.
  • Диффузия кремний полупроводниковый резистор.
  • По этой причине используют в основном эмиттерные или базовые слои.
Читать онлайнСкачать курсовую работу (Теория)

 

 

Похожие работы:

Еще похожие работы

Предметы

Все предметы »

 

 

Актуальные Курсовые работы (Теория) по информатике и телекоммуникациям