Фізико-технологічні основи металізації інтегральних схем - Курсовая работа (Теория) по физике

Тезисы:

Розділ 3. Методи Металізації Інтегральних Схем.
В даній курсовій роботі розглянуто компоненти та елементи інтегральних мікросхем.
Розділ 1. Елементи І Компоненти Інтегральних Мікросхем.
Підкладки інтегральних схем.
Розділ 2. Технологія Виробництва Інтегральних Мікросхем.
З курсу "Технологічні основи електроніки".
На основі керметів, до складу яких входять хром і монооксид кремнію, отримують високоомні резистори.
Не дивлячись на недоліки масковий метод є найпростішим, технологічнішим і високопродуктивним.
У основі електрохімічного осадження лежить електроліз розчину, що містить іони необхідних домішок.
Малышев И.А. "Технология производства интегральных микросхем".

Предметы

Актуальные Курсовые работы (Теория) по физике