Фізико-технологічні основи металізації інтегральних схем - курсовая работа (Теория) по физике
Тезисы:
- Розділ 3. Методи Металізації Інтегральних Схем.
- В даній курсовій роботі розглянуто компоненти та елементи інтегральних мікросхем.
- Розділ 1. Елементи І Компоненти Інтегральних Мікросхем.
- Підкладки інтегральних схем.
- Розділ 2. Технологія Виробництва Інтегральних Мікросхем.
- З курсу "Технологічні основи електроніки".
- На основі керметів, до складу яких входять хром і монооксид кремнію, отримують високоомні резистори.
- Не дивлячись на недоліки масковий метод є найпростішим, технологічнішим і високопродуктивним.
- У основі електрохімічного осадження лежить електроліз розчину, що містить іони необхідних домішок.
- Малышев И.А. "Технология производства интегральных микросхем".
Предметы
Все предметы »
Актуальные курсовые работы (теория) по физике
- Возобновляемые источники энергии и перспективы их использования в мире и России
180 Кб, 35 стр
56
- Жидкие кристаллы; их свойства и применение
627 Кб, 45 стр
52
- Расчёт центрального теплового пункта
473 Кб, 24 стр
51
- Тепловой расчет котлоагрегата
58 Кб, 30 стр
44
- Релейная защита и автоматика ЛЭП 110 кВ W0 (Q403-406)
178 Кб, 28 стр
24
- Нагнетатели и тепловые двигатели
88 Кб, 26 стр
20
- Теплотехнический контроль котлоагрегата Е-320-140
50 Кб, 32 стр
19
- Кабельные линии электропередачи
387 Кб, 28 стр
18
- Электроснабжение инструментального цеха
675 Кб, 62 стр
14
- Оборудование гидроэлектростанции
32 Кб, 38 стр
14
- Показать еще »