Фізико-технологічні основи металізації інтегральних схем - курсовая работа (Теория) по физике
Тезисы:
- Розділ 3. Методи Металізації Інтегральних Схем.
- В даній курсовій роботі розглянуто компоненти та елементи інтегральних мікросхем.
- Розділ 1. Елементи І Компоненти Інтегральних Мікросхем.
- Підкладки інтегральних схем.
- Розділ 2. Технологія Виробництва Інтегральних Мікросхем.
- З курсу "Технологічні основи електроніки".
- На основі керметів, до складу яких входять хром і монооксид кремнію, отримують високоомні резистори.
- Не дивлячись на недоліки масковий метод є найпростішим, технологічнішим і високопродуктивним.
- У основі електрохімічного осадження лежить електроліз розчину, що містить іони необхідних домішок.
- Малышев И.А. "Технология производства интегральных микросхем".
Предметы
Все предметы »
Актуальные курсовые работы (теория) по физике
- Фазовая модуляция
2 Мб, 29 стр
33
- Кабельные линии электропередачи
387 Кб, 28 стр
33
- Линейные электрические цепи постоянного и синусоидального тока
158 Кб, 24 стр
30
- Релейная защита и автоматика ЛЭП 110 кВ W0 (Q403-406)
178 Кб, 28 стр
29
- Расчет асинхронного двигателя с короткозамкнутым ротором
4 Мб, 41 стр
29
- Электроснабжение и электрооборудование инструментального цеха
391 Кб, 32 стр
28
- Ремонт и обслуживание устройств релейной защиты
128 Кб, 29 стр
26
- Оборудование гидроэлектростанции
32 Кб, 38 стр
26
- Возобновляемые источники энергии и перспективы их использования в мире и России
180 Кб, 35 стр
26
- Проект широкоэкранного круглогодичного кинотеатра с заданной вместимостью зрительного зала
3 Кб, 2 стр
24
- Показать еще »