Идентификация параметров математических моделей биполярных транзисторов КТ209Л, КТ342Б и полевого транзистора КП305Е - курсовая работа (Теория) по информатике и телекоммуникациям

 

Тезисы:

  • Характеристики транзисторов, используемые для экстракции параметров математических моделей.
  • Таблица параметров статической математической модели полевого транзистора.
  • Малосигнальные параметры биполярных транзисторов.
  • Полевой транзистор с изолированным затвором и индуцированным каналом n- типа КП305Е.
  • Функциональная схема прибора для определения малосигнальных h- параметров биполярного транзистора.
  • 2а, а обозначение полевых транзисторов с индуцированным каналом дается на рис.
  • Транзистор кремниевый диффузионно-планарный полевой с изолированным затвором и каналом n-типа.
  • Упрощённое изображение сечения структуры биполярных транзисторов приведено на рис.
  • Сечение структур реальных биполярных транзисторов приведено на рис.
  • Возможное сечение структуры биполярного р-n-р транзистора показано на рисунке 12а.

 

 

Похожие работы:

Предметы

Все предметы »

 

 

Актуальные курсовые работы (теория) по информатике и телекоммуникациям