Механизм роста кристаллитов фуллерита в пленках Sn – C60 - реферат по физике

 

Тезисы:

  • Пленки получены методом термического испарения в вакууме.
  • Как известно, причиной роста нитевидных кристаллов являются сжимающие напряжения.
  • В системе накапливаются сжимающие напряжения, которые являются источником энергии роста кристаллов.
  • "живое" время регистрации; скорость собирания зарядов - v.
  • При повышении концентрации атомов цинка ширина запрещенной зоны увеличивается с скоростью dE.
  • Рис.5. Температурная зависимость электропроводности для пленки с концентрацией атомов цинка Nz.
  • Рис. 2. Рентгенограмма свежеприготовленных пленок C60 (d = 300 нм) - Sn (d = 200 нм) .
  • Методом рентгеноспектрального микроанализа установлено, что кристаллы состоят из углерода.
  • При хранении на воздухе происходит частичное окисление поверхностных слоев.
  • = 200 нм, 22 месяца.
Читать онлайнСкачать реферат

 

 

Похожие работы:

Еще похожие работы

Предметы

Все предметы »

 

 

Актуальные рефераты по физике