Модуляционно-легированные транзисторы MODFET, биполярные транзисторы на гетеропереходах. Резонансный туннельный эффект - реферат по информатике и телекоммуникациям

 

Тезисы:

  • Модуляционно-легированные полевые транзисторы (MODFET).
  • Транзистор гетеропереход резонансный туннелирование.
  • 3, а показана разница, возникающая в зонной структуре npn-транзисторов с гетеро- и гомопереходами.
  • На рис.2, б показан только один энергетический уровень.
  • Типичная ширина такой прослойки составляет около 50 А.
  • Легко заметить, что показанная на рис.
  • Такой ток может модулироваться сигналом напряжения, подаваемым на затвор.
  • Повышение подвижности носителей при этом может достигать 60%.
  • Список использованной литературы.
  • Sze S.M. High Speed Devices (Wiley New York) 1991.
Читать онлайнСкачать реферат

 

 

Похожие работы:

Еще похожие работы

Предметы

Все предметы »

 

 

Актуальные рефераты по информатике и телекоммуникациям