Силові IGBT і MOSFET транзистори - реферат по информатике и телекоммуникациям

 

Тезисы:

  • Допустимий струм КЗ у IGBT набагато вищий, ніж у біполярного транзистора.
  • У схемі на рисунку 11 показаний транзистор IGBT із спеціальним струмковим виходом.
  • При цьому транзистор може перейти в лінійний режим і вийти з ладу через перегрів кристала.
  • Природно, що транзистор повинен витримувати перевантаження протягом цього часу.
  • У цьому режимі окрім відключення транзистора необхідно передбачити і обмеження напруги на затворі.
  • Стійкість до КЗ тісно пов'язана і з крутизною транзистора.
  • Як правило, транзистори, найстійкіші до КЗ, мають високу напругу насичення і, отже, високі втрати.
  • Якщо стан перевантаження не припиняється, то через 10 мкс транзистор відключається повністю.
  • Описаний спосіб включення транзистора має свої недоліки.
  • Рисунок 2. - Коротке замикання навантаження для включеного транзистора.
Читать онлайнСкачать реферат

 

 

Похожие работы:

Еще похожие работы

Предметы

Все предметы »

 

 

Актуальные рефераты по информатике и телекоммуникациям