Тонкопленочные элементы интегральных схем - реферат по радиоэлектронике

 

Тезисы:

  • Роль тонкопленочной технологии в производстве интегральных схем.
  • Тонкопленочная металлизация полупроводниковых приборов и интегральных схем.
  • " Получение тонкопленочных элементов микросхем " Б.С. Данилов.
  • Нельзя оптимизировать параметры одного элемента, не изменив одновременно характеристики других.
  • Схемы, изготовленные по совмещенной технологии, имеют целый ряд несомненных достоинств.
  • | | | |подлож| | | | | |.
  • | | | |ки и | | | | | |.
  • | | | |осажда| | | | | |.
  • Концентрация заряженных частиц тем выше, чем больше ток эмиссии катода и больше скорость испарения.
  • 500-550°С для получения низкоомного контакта.

 

 

Похожие работы:

Предметы

Все предметы »

Актуальные рефераты по радиоэлектронике