Физические основы микроэлектроники - реферат по истории техники

 

Тезисы:

  • Дисциплина: "Физические основы микроэлектроники".
  • При этом основную роль играют процессы, происходящие в объеме полупроводника, а не в p-n-переходе.
  • Эффект Ганна и его использование, в диодах, работающих в генераторном режиме.
  • Рис.2. К пояснению процесса формирования слоя накопления в однородно легированном GaAs.
  • Под катодом понимается контакт к образцу, на который подан отрицательный потенциал.
  • Рис.3. К пояснению процесса формирования дипольного домена.
  • На тему: "Эффект Ганна и его использование, в диодах, работающих в генераторном режиме".
  • На падающем участке примерно втрое ниже, чем подвижность в слабых полях.
  • Длина образца между контактами.
  • Концентрация электронов в исходном n-GaAs.
Читать онлайнСкачать реферат

 

 

Похожие работы:

Еще похожие работы

Предметы

Все предметы »

 

 

Актуальные рефераты по истории техники