Исследование процессов ионного легирования полупроводниковых материалов - реферат по технологиям машиностроения

 

Тезисы:

  • Процесс ионного легирования заключается в ионизации и ускорении до больших скоростей атомов примеси.
  • Физические особенности процесса ионного легирования.
  • Технология ионного легирования Под ред.
  • Зорин Е.И. Ионное легирование полупроводников - М.: Энергия 1975.
  • С другой стороны, ионное легирование имеет недостатки и ограничения.
  • При имплантации используются три вида материалов: аморфные, поли- и монокристаллические.
  • Аморфные и поликристаллические материалы служат в качестве масок при имплантации ионов.
  • В монокристаллических материалах создаются структуры с заданным профилем концентрации примесей.
  • Линейные дефекты в процессе отжига могут изменять свою длину, форму и местоположение в кристалле.
  • Процесс заключается в использовании луча лазера с удельной мощностью равной 500000 Вт/см3.
Читать онлайнСкачать реферат

 

 

Похожие работы:

Еще похожие работы

Предметы

Все предметы »

 

 

Актуальные рефераты по технологиям машиностроения