Лазеры на гетеропереходах \полупроводниковые лазеры\ - реферат по электротехнике

 

Тезисы:

  • As. Структура лазерного диода на p-n-переходе представлена на рис.
  • Излучение лазерного диода, полученное при плотностях тока выше порогового, являются когерентными.
  • .П. Г. Елисеев "Введение в физику инжекционных лазеров".
  • При квантовой эффективности 40%. Эти лазеры работают только в импульсном режиме.
  • В настоящее время лазерные диоды в основном изготовляют из GaAs или Ga.
  • Спектр излучения лазерного диода показан на рис. 5. Обычно существует несколько.
  • При наличии лазерного излучения произведение.
  • Таким образом, условие лазерного излучения имеет вид.
  • У ДГ-лазеров пороговая плотность тока равна 700- 800 А/см.
  • При квантовой эффективности 10%, то у ОГ-лазеров пороговая плотность тока равна 10.

 

 

Похожие работы:

Предметы

Все предметы »

Актуальные рефераты по электротехнике