Температурные зависимости параметров вольт-амперной характеристики резонансно-туннельного диода - контрольная работа по информатике и телекоммуникациям

 

Тезисы:

  • 6 - Температурные зависимости параметров РТД.
  • 3 - Зависимость туннельной проводимости от напряжения при разных температурах.
  • Резонансный туннельный диод напряжение.
  • Зависимость границ ОДП от температуры образца.
  • Зависимость тока пика и тока долины от температуры образца.
  • Зависимость отношения ток пика/ток долины от температуры образца.
  • Зависимость средней дифференциальной проводимости от температуры образца.
  • Зависимость средней мощности возможного излучения от температуры образца.
  • С уменьшением температуры начинают проявляться особенности зависимости кондактанса от температуры.
  • На рис.5 представлены полученные зависимости ВАХ.
Читать онлайнСкачать контрольную работу

 

 

Похожие работы:

Еще похожие работы

Предметы

Все предметы »

 

 

Актуальные контрольные работы по информатике и телекоммуникациям