Вольтамперные характеристики кремниевого диода при 300 К - Курсовая работа (Теория) по информатике и телекоммуникациям

 

Тезисы:

  • Показаны вольтамперные характеристики идеализированного p-n перехода и реального диода.
  • Построим вольтамперную характеристику.
  • Диод - это полупроводниковый прибор с двумя выводами, имеющий нелинейную ВАХ.
  • Электронно-дырочный переход представляет собой полупроводниковый диод.
  • Нелинейные свойства диода видны при рассмотрении его ВАХ.
  • В общем случае диод может быть представлен эквивалентной схемой, изображённой на рис.
  • Сп - емкость p-n перехода;б - сопротивление базы, омического контакта и выводов диода.
  • Полупроводниковые диоды подразделяются по многим признакам.
  • Прежде всего, следует различать точечные, плоскостные и поликристаллические диоды.
  • Плоскостные диоды в зависимости от площади перехода обладают емкостью в десятки пикофарад и более.
Читать онлайнСкачать курсовую работу (Теория)

 

 

Похожие работы:

Еще похожие работы

Предметы

Все предметы »

 

 

Актуальные Курсовые работы (Теория) по информатике и телекоммуникациям