Ключевые элементы на биполярних транзисторах - контрольная работа по информатике и телекоммуникациям

 

Тезисы:

  • Еще один режим работы транзистора, относящийся к ключевому, носит название режима отсечки.
  • Рис.1. Модель биполярного транзистора в ключевом режиме.
  • Насыщение транзистора принято оценивать коэффициентом насыщения.
  • Время рассасывания сильно зависит от степени насыщения транзистора.
  • Для наиболее быстрых силовых транзисторов время рассасывания составляет 0,1...0,5 мкс.
  • Коммутационные процессы в транзисторе определяют динамические потери при его переключении.
  • Слишком большие активные потери могут перегреть транзистор, и он пробьется.
  • Предположим, что мы имеем параллельное соединение двух транзисторов - VT1 и VT2.
  • = 0,5 В. Сопротивления транзисторов в открытом состоянии считаем примерно одинаковыми.
  • Перечислим причины выхода из строя биполярных транзисторов.
Читать онлайнСкачать контрольную работу

 

 

Похожие работы:

Еще похожие работы

Предметы

Все предметы »

 

 

Актуальные контрольные работы по информатике и телекоммуникациям