Омический контакт металл-карбид кремния - курсовая работа (Теория) по физике

 

Тезисы:

  • Технология формирования омических контактов к карбиду кремния.
  • Оборудование, используемое для изготовления омических контактов к карбиду кремния.
  • В качестве испаряемого металла для карбида кремния n-проводимости, исходя из теории, был выбран Ni.
  • Васильев Й.Г., Боева Г.Г., Рыжиков И.В. Напыленные контакты к карбиду кремния.
  • 2 Технология изготовления омических контактов к n-SiC.
  • Так в применение попал новый полупроводниковый синтетический материал Карбид кремния.
  • Аналогичная ситуация наблюдается и при формировании омических контактов к p-6H-SiC [7, 8, 9] .
  • Кремния карбид (карборунд) , SiC.
  • Чистый карбид кремния стехиометрического состава - бесцветные кристаллы с алмазным блеском.
  • Использовался монокристалл карбида кремния n-типа проводимости.

 

 

Похожие работы:

Предметы

Все предметы »

 

 

Актуальные курсовые работы (теория) по физике