Исследование взаимосвязи электрофизических параметров кремния полученного методом карботермического ... - разное по электротехнике

 

Тезисы:

  • Технология получения чистого полупроводникого кремния на данный момент отработана достаточно хорошо.
  • Очистка кремния методом вакуумной сублимации.
  • Так же ими получены данные химического анализа исследуемых нами образцов.
  • Институт применял метод рафинирования (двойная перекристаллизация методом Стокбаргера) .
  • Электрофизические параметры образцов приведены в таблице 1.
  • Электрофизические параметры и зависимость их от технологий производства….6.
  • Анализ результатов позволяет сделать некоторые выводы о зависимости от параметров.
  • Тор осуществляется нагрев в ростовой печи происходит испарение примесей t плав.
  • Скорость роста при этом лежит около 0.8 см/час.
  • Необходимо представлять кинетику происходящих в полупроводнике процессов.
Читать онлайнСкачать работу

 

 

Похожие работы:

Еще похожие работы

Предметы

Все предметы »

 

 

Актуальные разные работы по электротехнике