Транзисторы на горячих электронах - курсовая работа (Теория) по информатике и телекоммуникациям

 

Тезисы:

  • Транзисторы с инжекцией горячих электронов.
  • Транзисторы, в которых используются оба вида носителей, дырки и электроны, называются биполярными.
  • Агаханян Т. М. Основы транзисторной электроники.
  • Электрон горячий сверхпроводник транзистор.
  • Величина начальной скорости инжектированных электронов определяется структурой барьера эмиттер-база.
  • Инжектированный пучок электронов имеет относительно малую ширину разброса по шкале энергий.
  • Работа полевого транзистора с отрицательным сопротивлением - ПТОС - основана на этом принципе.
  • Рисунок 3 - Схематическое изображение структуры ПТОС - транзистора.
  • В них много кристаллических дефектов и примесей, рассеивающих электроны.
  • Оказывается, что межэлектронные столкновения при этом происходят гораздо чаще.

 

 

Похожие работы:

Предметы

Все предметы »

 

 

Актуальные курсовые работы (теория) по информатике и телекоммуникациям