Электрофизические свойства Ge и Si - курсовая работа (Теория) по информатике и телекоммуникациям

 

Тезисы:

  • Основные электрофизические свойства Ge и Si, мелкие акцепторные и донорные уровни.
  • 1 Электрофизические свойства кремния.
  • 2 Электрофизические свойства германия.
  • Скорость насыщения vнас является важнейшим электрофизическим параметром полупроводника.
  • Электрофизический полупроводник кремний германий.
  • Что сокращает время сканирования слитка.
  • Все это привело к неизбежной и быстрой замене германиевых полупроводников на кремниевые.
  • При этом подвижность mт уменьшается с ростом температуры по закону mт ~T -3/2.
  • В кремнии при Т=300 К для электронов vнас=105 м/c, а для дырок vнас=8Ч104 м/c.
  • С изменением содержания примесей смещается и температура перехода к собственной электропроводности.
Читать онлайнСкачать курсовую работу (теория)

 

 

Похожие работы:

Еще похожие работы

Предметы

Все предметы »

 

 

Актуальные курсовые работы (теория) по информатике и телекоммуникациям