Выращивание монокристалла с заданными свойствами - курсовая работа (Теория) по информатике и телекоммуникациям

 

Тезисы:

  • Концентрация носителей заряда задана 5×1017 см-3.
  • Монокристаллы GaP выращивают методом Чохральского.
  • Фосфид галлия монокристаллический применяется при изготовлении оптических линз и линз для лазеров.
  • Процесс вытягивания кристалла начинают с формирования шейки монокристалла.
  • Монокристалл медленно охлаждается во избежание термических напряжений.
  • Выращивают монокристаллы фосфида галлия диаметром от 15 до 50 мм, длиной больше 25мм.
  • Для выращивания кристаллов методом Чохральского используют кварц.
  • Монокристалл под слоем флюса имеет тенденцию принимать волнистый профиль.
  • Зададим ее равной 1 мм/мин.
  • Второй этап, проходит в установке выращивания кристаллов по методу Чохральского.
Читать онлайнСкачать курсовую работу (теория)

 

 

Похожие работы:

Еще похожие работы

Предметы

Все предметы »

 

 

Актуальные курсовые работы (теория) по информатике и телекоммуникациям