Выращивание монокристаллов методом Чохральского (монокристаллический кремень) - реферат по химии

  • Тип: Реферат
  • Предмет: Химия
  • Все рефераты по химии »
  • Язык:
  • Автор: Сирил Снир
  • Программа: Microsoft Word 6.0
  • Дата: 30 окт 1996
  • Формат: DOC
  • Размер: 164 Кб
  • Страниц: 11
  • Слов: 1089
  • Букв: 8534
  • Просмотров за сегодня: 1
  • За 2 недели: 2
  • За все время: 635

 

Тезисы:

  • Рост монокристалла по методу Чохральского должен.
  • Стью, выращиваеться по методу Чохральского.
  • Рост кристаллов по методу Чохральского заключаеться.
  • Вной объем монокристаллического кремния (80-90%) потребляемого электронной промышленно.
  • Схема установки для выращивания кристаллов.
  • Дства интегральных схем,производиться этим методом.
  • Положения монокристалла и тигля затруднена.
  • Выращивании в газовой атмосфере чаще всего используют инертные газы :аргон и гелий.
  • Кристаллы выращенные этим методом обычно не содержат краевых дислокаций,но могут включать.
  • Установка для выращивания кристаллов представлена на.
Читать онлайнСкачать реферат

 

 

Похожие работы:

Еще похожие работы

Предметы

Все предметы »

 

 

Актуальные рефераты по химии