Физические основы полупроводниковых приборов - лекция по информатике и телекоммуникациям

 

Тезисы:

  • На электропроводность полупроводников значительное влияние оказывает температура.
  • Переходе возникает потенциальный барьер, который препятсвует диффузии основных носителей зарядов.
  • Переход любой не основной носитель заряда, появившийся в этом поле.
  • Ом ∙ см, полупроводников - ρ = 10.
  • Область на границе двух полупроводников с различными типами электропроводности называется электронно.
  • Внешнее поле оттягивает основные носители зарядов от.
  • Выведение не основных носителей через.
  • Ом ∙ см и выше.
  • В валентной зоне каждого атома германия и кремния имеется по четыре валентных электрона.
  • Германий и кремний имеют атомные кристаллические решетки.
Читать онлайнСкачать лекцию

 

 

Похожие работы:

Еще похожие работы

Предметы

Все предметы »

 

 

Актуальные лекции по информатике и телекоммуникациям