Субмикронные полевые транзисторы с барьером Шоттки - отчет по практике по информатике и телекоммуникациям

 

Тезисы:

  • Была реализована численная модель расчета субмикронного полевого транзистора с барьером Шоттки.
  • 3 Электронный транспорт в субмикронном транзисторе с барьером Шоттки.
  • Полупроводник субмикронный полевой транзистор.
  • Носителями зарядов в полевом транзисторе являются заряды одного знака - электроны.
  • Выходные характеристики транзистора с длиной 1 мкм.
  • Затвор 4 используется для управления током транзистора с помощью внешнего сигнала.
  • Ости и надёжности транзистора.
  • 3 Баллистический транспорт в полупроводниках и субмикронных приборах.
  • Исследование Характеристики Субмикронных Структур.
  • Переходные характеристики транзистора с длиной 1 мкм.
Читать онлайнСкачать отчет по практике

 

 

Похожие работы:

Еще похожие работы

Предметы

Все предметы »

 

 

Актуальные отчеты по практике по информатике и телекоммуникациям