Моделирование процессов ионной имплантации - реферат по химии

  • Тип: Реферат
  • Предмет: Химия
  • Все рефераты по химии »
  • Язык:
  • Автор: Alex
  • Программа: Microsoft Word 8.0
  • Дата: 25 июл 1999
  • Формат: DOC
  • Размер: 300 Кб
  • Страниц: 21
  • Слов: 2866
  • Букв: 20266
  • Просмотров за сегодня: 1
  • За 2 недели: 4
  • За все время: 351

 

Тезисы:

  • Общие сведения о процессе ионной имплантации.
  • Схема установки для ионной имплантации приведена на рис.
  • Назначение Ионной Имплантации.
  • Тема: "Математическое моделирование ионно-имплантированных структур".
  • СБИС является процесс ионного легирования кремния.
  • При этом имплантация проводится с малой энергией ионов.
  • Такие слои очень сложно сформировать путем имплантации ионов В+.
  • Кроме того, использование молекулы ВF2 имеет преимущество при проведении процесса отжига структур.
  • Расчет профилей распределения концентрации внедренных примесей в структурах с двойной имплантацией.
  • Rm - модальная длина пробега (аналог проекционной длины пробега при.
Читать онлайнСкачать реферат

 

 

Похожие работы:

Еще похожие работы

Предметы

Все предметы »

 

 

Актуальные рефераты по химии