Технология изготовления плат полупроводниковых интегральных микросхем - курсовая работа (Теория) по информатике и телекоммуникациям

 

Тезисы:

  • Технология изготовления кристаллов МОП-ИМС во многом схожа с технологией биполярных ИМС.
  • Отличие при этом обусловлено рядом конструктивно-технологических особенностей самих МОП-ИМС.
  • МДП-ИМС изготавливают по планарной технологии.
  • 1 Описание технологического процесса.
  • 4 Основные технологические операции.
  • Рисунок 3 - Последовательность технологических операций производства МОП-транзистора с диодом Шоттки.
  • Транзистор интегральный схема.
  • Для полевого транзистора с изолированным затвором возможно его сочетание с диодом Шоттки.
  • Далее на полученную подложку наносится маскирующий слой диоксида кремния (рисунок 3, б) .
  • В последствии выращивается дополнительный слой диоксида кремния.
Читать онлайнСкачать курсовую работу (теория)

 

 

Похожие работы:

Еще похожие работы

Предметы

Все предметы »

 

 

Актуальные курсовые работы (теория) по информатике и телекоммуникациям