Технология получения монокристаллического InSb p-типа - курсовая работа (Теория) по информатике и телекоммуникациям

 

Тезисы:

  • На тему: Технология получения монокристаллического.
  • Технологическая схема выращивания монокристаллического p-PbSe размером d=3 мм, l=15 мм.
  • Технологическая схема выращивания монокристаллического.
  • Основной операцией процесса является выращивания монокристаллического p-PbSe.
  • Контроль дефектности монокристаллического p-PbSe под микроскопом (29) .
  • Контроль электрофизических свойств монокристаллического p-PbSe ρ=2 Ом·м (30) .
  • Шлифование монокристаллического p-PbSe 10 мин. (32) .
  • Полирование монокристаллического p-PbSe 20 мин.
  • Промывка монокристаллического p-PbSe в проточной ванне с деионизованной водой (34) .
  • Чистиков Д. Ю., Райков Ю. П. Физико-химические основы технологии микроэлектроники.
Читать онлайнСкачать курсовую работу (теория)

 

 

Похожие работы:

Еще похожие работы

Предметы

Все предметы »

 

 

Актуальные курсовые работы (теория) по информатике и телекоммуникациям