Технология эпитаксиальных пленок InAs - реферат по антикризисному менеджменту

 

Тезисы:

  • Схема установки для получения эпитаксиальных пленок InAs в системе In-AsCl.
  • Температурный профиль процесса эпитаксиального роста InAs из жидкой фазы.
  • " Арсенид индия. Свойства, применение. Особенности получения эпитаксиальных пленок.".
  • Схема установки для наращивания эпитаксиальных слоев InAs с помощью системы In-HCl-AsH.
  • Рис. 4. Схема установки для эпитаксиального наращивания InAs с использованием системы InAs-SiCl.
  • Эпитаксиальный арсенид индия - перспективный материал электронной техники.
  • 1-печь; 2-первый источник InAs; 3-второй источник InAs; 4-подложка.
  • Результаты сравнения различных методов эпитаксиального выращивания приведены в табл.
  • Проблемы эпитаксии полупроводниковых пленок/ Под ред.
  • Палатник Л. С., Папиров И. И. Эпитаксиальные пленки.
Читать онлайнСкачать реферат

 

 

Похожие работы:

Еще похожие работы

Предметы

Все предметы »

 

 

Актуальные рефераты по антикризисному менеджменту