Арсенид индия. Свойства, применение. Особенности получения эпитаксиальных пленок - курсовая работа (Практика) по электротехнике

 

Тезисы:

  • При получении эпитаксиальных слоев арсенида индия с помощью системы In-HCl-AsH.
  • Электрофизические свойства объемного арсенида индия.
  • Оптические свойства арсенида индия.
  • Эпитаксиальный арсенид индия - перспективный материал электронной техники.
  • Эпитаксиальное наращивание арсенида индия.
  • Эпитаксиальное наращивание арсенида индия из газовой фазы.
  • Схема установки для выращивания эпитаксиальных слоев арсенида индия с использованием системы In-AsCl.
  • Схема установки для получения эпитаксиальных пленок InAs в системе In-AsCl.
  • Олсен Г. Х., Эттенберг М. Особенности получения гетероэпитаксиальных структур типа А.
  • Зонная структура арсенида индия.
Читать онлайнСкачать курсовую работу (практика)

 

 

Похожие работы:

Еще похожие работы