Физические основы полупроводников - Учебное пособие по радиоэлектронике

 

Тезисы:

  • П/п у которого основными носителями заряда есть е называется.
  • П/п в которых основными носителями заряда являются дырки есть.
  • В атоме не может быть 2 е у коих все 4 квантовых числа были бы одинаковы.
  • 1930--- Систематические исследования свойств п/п Иоффе.
  • 1940--- доказано существования p-n перехода Лошькарёв.
  • 1990--- развитие концепции к наноэлектронике.
  • Процессы протекающие в д/э.
  • ВЗ и ЗП даже при Т=0К в ЗП находиться значительное количество е и проводимость имеет место быть.
  • Статистика носителей заряда в твёрдом теле уровень Фельдмана в Ме и п/п.
  • Свойства в значительной степени зависят от концентрации в нём носителей заряда при данной Т.
Читать онлайнСкачать учебное пособие

 

 

Похожие работы:

Еще похожие работы