Министерство образования Республики Беларусь

Учреждение образования

БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

ИНФОРМАТИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ

Факультет компьютерного проектирования

Кафедра электронной техники и технологии

ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА

к курсовому проекту

НА ТЕМУ

ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ПРОЦЕСС СБОРКИ И РЕГУЛИРОВКИ

ИОННОГО ИСТОЧНИКА ОЧИСТКИ

Выполнила:

ст. гр 911101 Громова А.Г.

Принял: Боженков В.В.

Минск 2012

Содержание

Введение

1. Описание принципа работы собираемого устройства

2. Анализ технических требований к качеству сборки

2.1 Дистиллированная вода. Требования по ГОСТ 6709-72

2.2 Аргон газообразный и жидкий. Технические условия по ГОСТ 10157-79

2.3 Шрифт 4-Пр3 СТБ 992-95

2.4 Технические требования по СТБ 1022-96

3. Выбор и обоснование метода достижения точности замыкающего звена

4. Расчёт комплексного показателя технологичности изделия

5. Разработка технологической схемы сборки изделия

6. Выбор и обоснование маршрутной сборки

7. Выбор и обоснование технологического оборудования

8. Выбор и обоснование технологической оснастки

9. Выбор и обоснование технологических баз

11. Описание и нормирование технологического процесса сборки

12. Технико-экономическое обоснование технологического процесса сборки

Заключение

Список используемых источников

Введение

Ионный источник - устройство для получения направленных потоков (пучков) ионов <#"justify">Типовые схемы ионно-лучевой обработки поверхностей и объектов в вакууме:

Ионно-лучевая обработка (очистка, травление) Ионно-лучевое распыление материалов Ионно-лучевая обработка, сопровождающая процесс нанесения покрытия (ионное ассистирование) Нанесение многокомпонентных покрытийДвухсторонняя обработка объектов Схема комбинированого источника ионов (ионно-лучевая очистка, распыление, ассистирование)

Целью настоящей работы является разработка технологического процесса сборки источника очистки ионного. Технология ионной очистки предназначена для финишной очистки поверхности подложки пучком ускоренных ионов с энергией до 1500 эВ от молекулярных частиц, адсорбированных газов, полимерных фрагментов, паров воды, а также для атомарной активации поверхностных связей подложки непосредственно перед нанесением тонкопленочного покрытия. Применение технологии ионно-лучевой очистки гарантирует существенно более высокую степень адгезии по сравнению с традиционными методами (например, тлеющий разряд или плазменная очистка), что в итоге обеспечивает более длительную и надежную эксплуатацию деталей с покрытиями.

очистка ионный сборка устройство

1. Описание принципа работы собираемого устройства

Рис.1. Принципиальная схема ионного источника.

Основными элементами устройства являются катод, анод и магнитная система, состоящая из магнитопровода и магнита. Силовые линии магнитного поля замыкаются между полюсами магнитного контура.

При подаче постоянного напряжения между анодом (положительный потенциал) и катодом (отрицательный или нулевой потенциал) возникает неоднородное электрическое поле и возбуждается аномальный тлеющий разряд. Наличие замкнутого магнитного поля между полюсами магнитного контура позволяет локализовать плазму разряда в разрядном промежутке между анодом и катодом. Эмитированные с катода под действием ионной бомбардировки электроны захватываются магнитным полем, им сообщается сложное циклоидальное движение по замкнутым траекториям в зазоре между магнитными полюсами, анодом и катодом. Электроны оказываются как бы в ловушке, создаваемой с одной стороны магнитным полем, возвращающим ионы на катод, с другой - самим катодом, который, обладая отрицательным зарядом, отталкивает электроны. Электроны циклируют в ловушке до тех пор, пока не произойдет несколько ионизирующих столкновений с атомами рабочего газа, в результате которых электрон, теряя полученную от электрического поля энергию, создает ионы.

Большинство ионов, участвующих в работе источников с замкнутым дрейфом электронов, однозарядные. Причина этого объясняется элементарно: как только атом теряет электрон, ускоряющее электрическое поле мгновенно выдергивает его из области плазмы до того, как произойдут последующие столкновения с высокоэнергетичными электронами и, следовательно, ионизация. Многозарядные ионы являются результатом столкновений с электронами, обладающими энергией, которой достаточно, чтобы за раз выбить два или более электронов из нейтральных атомов. Количество подобных столкновений в сравнении со столкновениями, выбивающими по одному электрону, пренебрежительно мало.