Применение арсенида галлия в микроэлектронике - курсовая работа (Теория) по прочим предметам

 

Тезисы:

  • История развития арсенида галлия.
  • Арсенид галлий транзистор.
  • В настоящее время более 90% всех полупроводниковых приборов изготовляется на основе кремния.
  • Создание технологии производства приборов на GaAs началось в начале 50-х годов.
  • Этот метод позволяет выращивать кристаллы исключительно высокой степени чистоты.
  • В 1965 г. были изготовлены первые ЛПД, в которых использовались p-n-переходы.
  • В 1974 г. было сообщено об использовании полевых транзисторов на GaAs в цифровых схемах.
  • Существует много перспектив развития технологии изготовления интегральных схем на основе GaAs.
  • Три основные кристаллические плоскости решетки GaAs показаны на рис.
  • Каждый атом As на поверхности (100) имеет две связи с атомами Ga из лежащего ниже слоя.
Читать онлайнСкачать курсовую работу (теория)

 

 

Похожие работы:

Еще похожие работы

Предметы

Все предметы »

 

 

Актуальные курсовые работы (теория) по прочим предметам